六大模組

HH 
HODGKIN-HUXLEY模擬神經衝動的霍奇金 - 赫胥黎模型。兩個刺激脈衝可以在任一電流鉗或電壓鉗模式被應用，每個正方形或斜坡波形和用戶定義的幅度和定時。廣泛的現象，可以模擬，包括不應期，臨界住宿，電壓鉗尾電流，單通道膜片鉗電導和其他許多人。一個動畫顯示分子的門在細胞膜的作用。各種藥物可以應用，並且將溫度和離子濃度可以變化。 

GOLDMAN 
GOLDMAN模擬高盛霍奇金 - 卡茨不斷的場方程（被稱為高盛公式為簡潔起見）。這允許學生探索離子濃度和平衡電位和相對的離子滲透性和膜電位之間的關係。它明確地計算和能斯特方程高盛為一系列的離子參數。 

MEMBRANE
MEMBRANE PATCH模擬單離子通道的動力學性質。三個簡單的模型提供：兩個國家的開/關通道;三態激動劑激活的通道（關閉/未綁定，關閉/束縛，打開/綁定）;和一個三態關，開，堵塞通道。該方案還可以模擬通道多達5個州與用戶定義的轉換速率常數。打開時間和關閉時間的直方圖可顯示，疊加多指數曲線。一個簡單的分析，一陣選項可用。開放和關閉時間的原始數據可導出為ASCII文件更複雜的分析。 

PASSIVE CONDUCTION 
PASSIVE CONDUCTION 模擬一個神經元的非尖峰傳導性能（電纜特性）。實驗情況如下。還有很長的非尖峰軸突長度統一的或枝晶，其中插有6微電極。在這條線的一端的電極是用於注射的方形脈衝的正的或負的電流。其他五個電極用於測量電壓。用戶可以調整的幅度，持續時間和電流脈衝的延遲，並且相對於電流注入部位的五個記錄電極的位置。用戶“構建”軸突通過設置其膜的特性和直徑。的目的是顯示如何將電壓響應於電流脈衝與時間和距離而變化，根據本軸突的特性。它說明了如何信號衰減涉及時間常數和空間恆定的特性。時間總和可以證明。膜電位，可以顯示或作為潛在的對記錄電極的軸突位置的曲線相對於時間或潛在。 

NETWORK
NETWORK允許用戶構建神經元非尖峰或尖峰化學突觸和整流或非整流電突觸相互連接的任意電路。許多各神經元的膜性能的可單獨設置，包括製造一個神經細胞的內源性破裂器的選項。雖然活性膜的事件簡化為最大化速度，尖峰特性如閾住宿可包括在內。定義的幅度和定時的試驗電流脈衝可以被注射到任何神經元。許多不同類型的突觸可以被定義，包括化學突觸具有不同的逆轉電位，突觸強度和便利性，和電突觸具有不同的整流特性。化學突觸可能是電壓依賴性。補品或隨機突觸輸入，定義特性可以侵犯任何神經元。這些功能使被展示了一個非常廣泛的電路現象，包括內源性和網絡振盪器，在感覺系統側抑制，等等。突觸可與赫布屬性，其中所述連接的強度的前和突觸後神經元共同活性，如在長時程增強（LTP）時增加來定義。中設有一系列使用這種赫布突觸可用於支持學習和記憶過程的調查。 

NEURON/SYNAPSE
NEURON/SYNAPSE是單室型神經元模型，其中兩個電壓依賴性和突觸電導可併入。它的目的是調查更複雜的蜂窩系統相比，該標準HH模型的，但它提供了類似的電流鉗和電壓鉗實驗設施。多達九個電位依賴性通道的類型可以包括，每一個用戶定義的最大電導和平衡電勢，並利用內置的公式編輯器中定義的激活和失活動力學。細胞內鈣離子濃度的波動可以被模擬，以及任何通道可以由鈣依賴性。這意味著各種各樣的神經元類型的可以模擬，包括內源性爆發源，神經元與大電流等的神經元/突觸可以用來仿真複製許多經典的模擬從文獻和/或詳細探討變化通道動力學等性質的生理後果。除了電壓依賴性通道，最多五個配體門控（突觸）的信道類型，也可以包括在內，每個正方形或字母波形電導信息和定義的最大電導和平衡電位。突觸事件可以顯示便利或遞減，可以是電導的增加或減少的類型，並且可以顯示電壓依賴性。該參數為量子釋放可以為電導增加的突觸被定義，從而使振幅的波動的統計分析。這允許詳細勘探的離子型突觸後活動，以及它們與電位依賴性通道的相互作用。